창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5370B/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 40.3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5370B/TR8 | |
관련 링크 | 1N5370, 1N5370B/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
08055C224JAT4A | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C224JAT4A.pdf | ||
NS10145T330MNA | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.01A 98.4 mOhm Max Nonstandard | NS10145T330MNA.pdf | ||
HKQ04026N2H-T | 6.2nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 910 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04026N2H-T.pdf | ||
CAY16-274J8LF | RES ARRAY 8 RES 270K OHM 1506 | CAY16-274J8LF.pdf | ||
MBA02040C2269FC100 | RES 22.6 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2269FC100.pdf | ||
MRF8S18260H | MRF8S18260H FREESCALE SMD or Through Hole | MRF8S18260H.pdf | ||
HA13532NT | HA13532NT HIT DIP | HA13532NT.pdf | ||
2N2249 | 2N2249 MOT SMD or Through Hole | 2N2249.pdf | ||
ASB1000-ACBAC | ASB1000-ACBAC ORIGINAL SMD or Through Hole | ASB1000-ACBAC.pdf | ||
V6420136 | V6420136 ORIGINAL SMD or Through Hole | V6420136.pdf | ||
215R3LASB41G RAGE XL | 215R3LASB41G RAGE XL ATI BGA | 215R3LASB41G RAGE XL.pdf | ||
GF-G06200SQ-N-A2 | GF-G06200SQ-N-A2 NVIDIA BGA | GF-G06200SQ-N-A2.pdf |