창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5367/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 31V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5367/TR12 | |
관련 링크 | 1N5367, 1N5367/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AU3PD-M3/87A | DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A | AU3PD-M3/87A.pdf | |
![]() | P1166.823NLT | 82µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 500 mOhm Max Nonstandard | P1166.823NLT.pdf | |
![]() | ADM6315-26D2ART | ADM6315-26D2ART AD SMD or Through Hole | ADM6315-26D2ART.pdf | |
![]() | EMIF06-10006F1LU | EMIF06-10006F1LU ST NA | EMIF06-10006F1LU.pdf | |
![]() | FM140 | FM140 BOURNS DO-214AC | FM140.pdf | |
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![]() | CLB8TA800L-T | CLB8TA800L-T GONGJIN SMD | CLB8TA800L-T.pdf | |
![]() | SAA7137DHS/V1,557 | SAA7137DHS/V1,557 NXP QFP | SAA7137DHS/V1,557.pdf | |
![]() | AJ434E-71-KO-B | AJ434E-71-KO-B SIMULAR SMD or Through Hole | AJ434E-71-KO-B.pdf | |
![]() | ADV601LCJS | ADV601LCJS AD TQFP-120 | ADV601LCJS.pdf | |
![]() | HX8615 | HX8615 ORIGINAL SMD or Through Hole | HX8615.pdf |