창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5366BE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 28.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5366BE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5366BE, 1N5366BE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 0218001.H | FUSE GLASS 1A 250VAC 5X20MM | 0218001.H.pdf | |
![]() | GL037F35IET | 3.6864MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL037F35IET.pdf | |
![]() | APT6013LVR | APT6013LVR APT SMD or Through Hole | APT6013LVR.pdf | |
![]() | 75327DC (UA75327DC) | 75327DC (UA75327DC) FSC DIP-16 | 75327DC (UA75327DC).pdf | |
![]() | 3200100283 | 3200100283 NS SMD or Through Hole | 3200100283.pdf | |
![]() | TS6000-S42P | TS6000-S42P SONY SMD or Through Hole | TS6000-S42P.pdf | |
![]() | EN29LV400T-45RTCP | EN29LV400T-45RTCP EN TSSOP | EN29LV400T-45RTCP.pdf | |
![]() | M3777AMFH-1D6GP | M3777AMFH-1D6GP MITSUBISHI QFP-100 | M3777AMFH-1D6GP.pdf | |
![]() | PJTL-015-0 | PJTL-015-0 ORIGINAL SMD or Through Hole | PJTL-015-0.pdf | |
![]() | ISO150 | ISO150 BB SOP | ISO150.pdf | |
![]() | EI403437J | EI403437J AKI DIP18 | EI403437J.pdf | |
![]() | P008263101200000+ | P008263101200000+ KYOCERA ORIGINAL | P008263101200000+.pdf |