창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5363B/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5363B/TR8 | |
관련 링크 | 1N5363, 1N5363B/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ECW-F4334HLB | 0.33µF Film Capacitor 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.378" W (18.00mm x 9.60mm) | ECW-F4334HLB.pdf | |
![]() | 416F37433IAT | 37.4MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433IAT.pdf | |
![]() | AMS1086-1.8V | AMS1086-1.8V ORIGINAL SMD or Through Hole | AMS1086-1.8V.pdf | |
![]() | TYN688 | TYN688 ORIGINAL TO220AB | TYN688 .pdf | |
![]() | R8B21 | R8B21 ORIGINAL DIP | R8B21.pdf | |
![]() | 40HC008F | 40HC008F ORIGINAL SOP | 40HC008F.pdf | |
![]() | X1E000021017200 | X1E000021017200 EPSONTOYO Call | X1E000021017200.pdf | |
![]() | DE56VT559NE3BLC | DE56VT559NE3BLC DSP QFP | DE56VT559NE3BLC.pdf | |
![]() | FMD25-06KC5 | FMD25-06KC5 IXYS ISOPLUS i4-PAC (5 - | FMD25-06KC5.pdf | |
![]() | MCP4152-103E/SN | MCP4152-103E/SN Microchip 8-SOICN | MCP4152-103E/SN.pdf | |
![]() | 0603-36.5R | 0603-36.5R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-36.5R.pdf |