창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5363/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5363/TR12 | |
관련 링크 | 1N5363, 1N5363/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | D330G25U2JL65J5R | 33pF 500V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D330G25U2JL65J5R.pdf | |
![]() | CMF5530K900BEEB | RES 30.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5530K900BEEB.pdf | |
![]() | 3501JM | 3501JM BB SMD or Through Hole | 3501JM.pdf | |
![]() | 101782-HMC239S8 | 101782-HMC239S8 HITTITE SMD or Through Hole | 101782-HMC239S8.pdf | |
![]() | QD-NV285-N-A2 | QD-NV285-N-A2 NVIDIA BGA | QD-NV285-N-A2.pdf | |
![]() | SE566H | SE566H SIGNETIS CAN-8 | SE566H.pdf | |
![]() | SIP2800DQ-T1-E3 | SIP2800DQ-T1-E3 VISHAY MSOP8 | SIP2800DQ-T1-E3.pdf | |
![]() | MAX5527GUA | MAX5527GUA MAXIM SMD or Through Hole | MAX5527GUA.pdf | |
![]() | GP551502FB | GP551502FB RCD SMD or Through Hole | GP551502FB.pdf | |
![]() | 250V335K | 250V335K ORIGINAL SMD or Through Hole | 250V335K.pdf | |
![]() | MMBT4124/ZC | MMBT4124/ZC FAIRCHILD/FSC/ SOT-23 | MMBT4124/ZC.pdf | |
![]() | TH11-3J473HT | TH11-3J473HT MIT SMD | TH11-3J473HT.pdf |