창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5363/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5363/TR12 | |
관련 링크 | 1N5363, 1N5363/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 683MSR100K | FILM | 683MSR100K.pdf | |
![]() | MG12225WB-BN2MM | IGBT 1200V 325A 1050W PKG WB | MG12225WB-BN2MM.pdf | |
![]() | RT1210BRD0739KL | RES SMD 39K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0739KL.pdf | |
![]() | 25C040T/SN | 25C040T/SN MICROCHIP SMD or Through Hole | 25C040T/SN.pdf | |
![]() | 54722-0601 | 54722-0601 MOLEX SMD or Through Hole | 54722-0601.pdf | |
![]() | GM1501 BD | GM1501 BD GENESIS BGA | GM1501 BD.pdf | |
![]() | HCNW3020 | HCNW3020 Agilent DIP8 | HCNW3020.pdf | |
![]() | LQW15AN2N4B | LQW15AN2N4B ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW15AN2N4B.pdf | |
![]() | 19427-0018 | 19427-0018 MOLEX SMD or Through Hole | 19427-0018.pdf | |
![]() | TEP100-1213-CM | TEP100-1213-CM TRACO AC DC | TEP100-1213-CM.pdf | |
![]() | T14N10E | T14N10E ON SOT-252 | T14N10E.pdf | |
![]() | 10VXWR18000M22X45 | 10VXWR18000M22X45 RUBYCON DIP | 10VXWR18000M22X45.pdf |