창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5362BE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 28V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 20.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5362BE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5362BE, 1N5362BE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445A33A30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33A30M00000.pdf | |
![]() | SIT8208AIP8F-33E-45.158400T | OSC XO 3.3V 45.1584MHZ OE | SIT8208AIP8F-33E-45.158400T.pdf | |
![]() | 1N750A TR | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 1N750A TR.pdf | |
![]() | H4130KBDA | RES 130K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4130KBDA.pdf | |
![]() | VT3205B41/TMJ828F | VT3205B41/TMJ828F VIA BGA | VT3205B41/TMJ828F.pdf | |
![]() | MK50982 | MK50982 ORIGINAL DIP | MK50982.pdf | |
![]() | 187053-30091 | 187053-30091 P-TWO SMD | 187053-30091.pdf | |
![]() | A12B | A12B ORIGINAL SOT23 | A12B.pdf | |
![]() | LVTD20S4812 | LVTD20S4812 ORIGINAL SMD or Through Hole | LVTD20S4812.pdf | |
![]() | BL8563-28 | BL8563-28 BL SOT23-5 | BL8563-28.pdf | |
![]() | TMS320C6414ZLZC20 | TMS320C6414ZLZC20 TI BGA | TMS320C6414ZLZC20.pdf | |
![]() | 5962-8970201EA(CD54HCT112F3A) | 5962-8970201EA(CD54HCT112F3A) ORIGINAL SOT23-5 | 5962-8970201EA(CD54HCT112F3A).pdf |