창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5361C/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 19.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5361C/TR12 | |
관련 링크 | 1N5361C, 1N5361C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | TE80B12RJ | RES CHAS MNT 12 OHM 5% 80W | TE80B12RJ.pdf | |
![]() | PLTT0805Z3012QGT5 | RES SMD 30.1KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z3012QGT5.pdf | |
![]() | HM62W6255HLTF12 | HM62W6255HLTF12 HITACHI SMD or Through Hole | HM62W6255HLTF12.pdf | |
![]() | AAAKEUPF | AAAKEUPF MAXIM MSOP | AAAKEUPF.pdf | |
![]() | 1206B153K160NT | 1206B153K160NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B153K160NT.pdf | |
![]() | N80C196KA12 | N80C196KA12 I PLCC | N80C196KA12.pdf | |
![]() | LTC2981BIGN#TRPBF | LTC2981BIGN#TRPBF LT SOP | LTC2981BIGN#TRPBF.pdf | |
![]() | 1-148057-5 | 1-148057-5 TYCO NA | 1-148057-5.pdf | |
![]() | SCANPSC110DSC | SCANPSC110DSC NS SOP28 | SCANPSC110DSC.pdf | |
![]() | KAG00L008M | KAG00L008M SAMSUNG BGA | KAG00L008M.pdf | |
![]() | FW82546EB 845 | FW82546EB 845 Intel SMD or Through Hole | FW82546EB 845.pdf |