창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5357E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5357E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5357E, 1N5357E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B82498F3181J | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 340mA 530 mOhm Max 2-SMD | B82498F3181J.pdf | |
![]() | AT93C66AU3-10UU-1.8 | AT93C66AU3-10UU-1.8 ATMEL QFN | AT93C66AU3-10UU-1.8.pdf | |
![]() | 10558BEAJC | 10558BEAJC MOTOROLA CDIP | 10558BEAJC.pdf | |
![]() | PPS65200A1YFFR | PPS65200A1YFFR ORIGINAL SMD or Through Hole | PPS65200A1YFFR.pdf | |
![]() | MCC132-16i01B | MCC132-16i01B IXYS NA | MCC132-16i01B.pdf | |
![]() | 890036+ | 890036+ SAWTEK SMD or Through Hole | 890036+.pdf | |
![]() | TLP281GRLF | TLP281GRLF TOSHIBA DIP-6 | TLP281GRLF.pdf | |
![]() | CXD9646 | CXD9646 ORIGINAL ZIP | CXD9646.pdf | |
![]() | LM185WH1-TLC1 | LM185WH1-TLC1 LG SMD or Through Hole | LM185WH1-TLC1.pdf | |
![]() | ASENNUSKAAPELIMMJ3X1.5S(0408450) | ASENNUSKAAPELIMMJ3X1.5S(0408450) ORIGINAL SMD or Through Hole | ASENNUSKAAPELIMMJ3X1.5S(0408450).pdf | |
![]() | HZ30-2TA-E | HZ30-2TA-E Renesas DO-35 | HZ30-2TA-E.pdf |