창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5356CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5356CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5356CE, 1N5356CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
EET-HD2S181HJ | 180µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EET-HD2S181HJ.pdf | ||
CC0603CRNPO9BN1R8 | 1.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603CRNPO9BN1R8.pdf | ||
VJ2220A472JBCAT4X | 4700pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A472JBCAT4X.pdf | ||
G86-9211-A2 | G86-9211-A2 NVIDIA BGA | G86-9211-A2.pdf | ||
1210 1% 51K | 1210 1% 51K SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 1% 51K.pdf | ||
AFBR-57M5AP | AFBR-57M5AP AVG SMD or Through Hole | AFBR-57M5AP.pdf | ||
WG82541MDE | WG82541MDE INTEL QFN | WG82541MDE.pdf | ||
UB11123-M4-4F | UB11123-M4-4F FOXCONN SMD or Through Hole | UB11123-M4-4F.pdf | ||
MAX1662 | MAX1662 MAXIM SMD | MAX1662.pdf | ||
MAX6339IUTT | MAX6339IUTT MAXIM SOT23-6 | MAX6339IUTT.pdf | ||
2.5W | 2.5W ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.5W.pdf | ||
TLE7826 | TLE7826 Infineon P-DSO-28 | TLE7826.pdf |