창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5356B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5356BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5356B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5356B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | W2A21A101KAT2A | 100pF Isolated Capacitor 2 Array 100V C0G, NP0 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A21A101KAT2A.pdf | |
![]() | AT0402DRD0793R1L | RES SMD 93.1 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD0793R1L.pdf | |
![]() | RT0201FRE074K48L | RES SMD 4.48K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE074K48L.pdf | |
![]() | TNPW120633R0BEEN | RES SMD 33 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120633R0BEEN.pdf | |
![]() | LVA24180B500 | LVA24180B500 ORIGINAL SMD or Through Hole | LVA24180B500.pdf | |
![]() | Z8002BB1V | Z8002BB1V ST DIP | Z8002BB1V.pdf | |
![]() | NT3332KIV22 | NT3332KIV22 ORIGINAL SOP | NT3332KIV22.pdf | |
![]() | CNS3420-600 | CNS3420-600 ORIGINAL SMD or Through Hole | CNS3420-600.pdf | |
![]() | AD7466BRMZ | AD7466BRMZ ADI 8-MSOP | AD7466BRMZ.pdf | |
![]() | 111-2-008-0-MTH-LS0 | 111-2-008-0-MTH-LS0 MPE-GARRY SMD or Through Hole | 111-2-008-0-MTH-LS0.pdf | |
![]() | ND1Z00SSH107 | ND1Z00SSH107 ORIGINAL SOD123 | ND1Z00SSH107.pdf | |
![]() | S11MS3BY | S11MS3BY SHARP DIPSOP6 | S11MS3BY.pdf |