창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5356B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5356BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5356B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5356B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D131GXBAT | 130pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131GXBAT.pdf | |
![]() | VSBU-120-T515A | AC/DC CONVERTER 5V +/-15V 120W | VSBU-120-T515A.pdf | |
![]() | ELC-09D330F | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 81 mOhm Radial | ELC-09D330F.pdf | |
![]() | 0603CS-27NXJBW | 0603CS-27NXJBW ORIGINAL 060327N | 0603CS-27NXJBW.pdf | |
![]() | 820K(8203)±1%0402 | 820K(8203)±1%0402 ORIGINAL SMD or Through Hole | 820K(8203)±1%0402.pdf | |
![]() | 27C4001 | 27C4001 ST DIP | 27C4001.pdf | |
![]() | TSM104ATW | TSM104ATW ST DIP16 | TSM104ATW.pdf | |
![]() | RPE132COG182J50 DIP-182J | RPE132COG182J50 DIP-182J MURATA SMD or Through Hole | RPE132COG182J50 DIP-182J.pdf | |
![]() | L132XGD10.3ASHS4 | L132XGD10.3ASHS4 KINGBRIGHT SMD or Through Hole | L132XGD10.3ASHS4.pdf | |
![]() | THS4021IDGN | THS4021IDGN TI SMD or Through Hole | THS4021IDGN.pdf | |
![]() | SK-12D07 | SK-12D07 DSL SMD or Through Hole | SK-12D07.pdf | |
![]() | T399N20 | T399N20 EUPEC module | T399N20.pdf |