창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5350B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5350BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5350B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5350B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1GNJ395C | RES SMD 3.9M OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ395C.pdf | |
![]() | RT0402DRE0712K4L | RES SMD 12.4KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE0712K4L.pdf | |
![]() | CMF6548K700FKEA | RES 48.7K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6548K700FKEA.pdf | |
![]() | CAB-09GW/10 | CAB-09GW/10 BQCABLE SMD or Through Hole | CAB-09GW/10.pdf | |
![]() | MPS-6000-100A | MPS-6000-100A METRODYNE SMD or Through Hole | MPS-6000-100A.pdf | |
![]() | BLF6G20-180P | BLF6G20-180P NXP SMD or Through Hole | BLF6G20-180P.pdf | |
![]() | NTVD20N03L27T4 | NTVD20N03L27T4 ONSEMI DPAK-2W | NTVD20N03L27T4.pdf | |
![]() | 3630BCBP | 3630BCBP ORIGINAL BGA | 3630BCBP.pdf | |
![]() | JW2FEN-9V | JW2FEN-9V ORIGINAL SMD or Through Hole | JW2FEN-9V.pdf | |
![]() | 18.1014.02 (18.816MHz) | 18.1014.02 (18.816MHz) NASUKA SMD or Through Hole | 18.1014.02 (18.816MHz).pdf | |
![]() | MCD801D | MCD801D SHINDENG DIP18 | MCD801D.pdf | |
![]() | MP820-35.0-1% | MP820-35.0-1% CADDOCK TO-220 | MP820-35.0-1%.pdf |