창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5347B/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5347B/TR8 | |
관련 링크 | 1N5347, 1N5347B/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | E81D630VNN392MQ40C | CAP ALUM 3900UF 63V RADIAL | E81D630VNN392MQ40C.pdf | |
![]() | S223M96Z5U283L0R | 0.022µF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 | S223M96Z5U283L0R.pdf | |
![]() | HFU330KBFEF0KR | 33pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.374" Dia(9.50mm) | HFU330KBFEF0KR.pdf | |
![]() | GRM2196P2A2R8CD01D | 2.8pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A2R8CD01D.pdf | |
![]() | 445W22A20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22A20M00000.pdf | |
![]() | NGB8202ANT4G | IGBT 440V 20A 150W D2PAK | NGB8202ANT4G.pdf | |
![]() | CH7007B-T | CH7007B-T CHRONTEL LQFP64 | CH7007B-T.pdf | |
![]() | 15403.5T | 15403.5T ORIGINAL SMD or Through Hole | 15403.5T.pdf | |
![]() | TC4S81F/C2 | TC4S81F/C2 TOSHIBA SOT-153 | TC4S81F/C2.pdf | |
![]() | 3SK60 | 3SK60 HITACHI CAN4 | 3SK60.pdf | |
![]() | ERE51-06M | ERE51-06M FUJI SMD or Through Hole | ERE51-06M.pdf | |
![]() | MAX693EPE+ | MAX693EPE+ MAXIM DIP | MAX693EPE+.pdf |