창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5338BRLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1N5338BRLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5338BRLG | |
| 관련 링크 | 1N5338, 1N5338BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PA4303.564NLT | 560µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 1.53 Ohm Max Nonstandard | PA4303.564NLT.pdf | |
![]() | HA11753NT | HA11753NT HIT DIP-42 | HA11753NT.pdf | |
![]() | FPORMPUV1.08 | FPORMPUV1.08 PEWACD QFP | FPORMPUV1.08.pdf | |
![]() | H502-2 | H502-2 NA SOP8 | H502-2.pdf | |
![]() | TPS76033DBVR NOPB | TPS76033DBVR NOPB TI SOT153 | TPS76033DBVR NOPB.pdf | |
![]() | 0402-103K | 0402-103K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-103K.pdf | |
![]() | 67PR250KLF | 67PR250KLF BI DIP | 67PR250KLF.pdf | |
![]() | M12L64322A-7T | M12L64322A-7T ESMT SOP | M12L64322A-7T.pdf | |
![]() | SR360/SS36 | SR360/SS36 GW DO-27 214AC | SR360/SS36.pdf | |
![]() | HL78D05 | HL78D05 HL TO-252 | HL78D05.pdf | |
![]() | MAX1609EEE | MAX1609EEE MAXIM NA | MAX1609EEE.pdf | |
![]() | QS74FCT861AP | QS74FCT861AP QSI SMD or Through Hole | QS74FCT861AP.pdf |