창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5337BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 1N5337BGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5337BG | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5337BG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8807CMBNG3NE5 | 8807CMBNG3NE5 TOSHIBA DIP-64 | 8807CMBNG3NE5.pdf | |
![]() | 1.5W200V | 1.5W200V ST DO-15 | 1.5W200V.pdf | |
![]() | 2N2329SJANTX | 2N2329SJANTX Microsemi NA | 2N2329SJANTX.pdf | |
![]() | AD5326BRUZ-REEL7 | AD5326BRUZ-REEL7 ANALOGDEVICESGMBH SMD or Through Hole | AD5326BRUZ-REEL7.pdf | |
![]() | 22255A104GAT2A | 22255A104GAT2A AVX SMD | 22255A104GAT2A.pdf | |
![]() | GRM316R71H152KD01D | GRM316R71H152KD01D MURATA SMD or Through Hole | GRM316R71H152KD01D.pdf | |
![]() | BAV20. | BAV20. NXP SMD or Through Hole | BAV20..pdf | |
![]() | SFA-34-24-HP-CNE | SFA-34-24-HP-CNE SOURCE SMD or Through Hole | SFA-34-24-HP-CNE.pdf | |
![]() | K4S280432D-TC1H | K4S280432D-TC1H SAMSUNG SOP-54L | K4S280432D-TC1H.pdf | |
![]() | L1204001606 | L1204001606 ORIGINAL DIP40 | L1204001606.pdf | |
![]() | TZRC231M | TZRC231M ORIGINAL T092 | TZRC231M.pdf | |
![]() | IR246N | IR246N IOR SOP8 | IR246N.pdf |