창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5337A/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5337A/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5337, 1N5337A/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MA-506 4.0000M-C3: ROHS | 4MHz ±50ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 4.0000M-C3: ROHS.pdf | |
![]() | RLB0912-3R3ML | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 3.6A 18 mOhm Max Radial | RLB0912-3R3ML.pdf | |
![]() | 74404084470 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 136 mOhm Nonstandard | 74404084470.pdf | |
![]() | SI8710BC-B-IPR | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 1 Channel 15Mbps 35kV/µs CMTI 8-SMD, Gull Wing | SI8710BC-B-IPR.pdf | |
![]() | ADM-K6-2/333AMZ | ADM-K6-2/333AMZ ADM CPU | ADM-K6-2/333AMZ.pdf | |
![]() | SF5L60-4100 | SF5L60-4100 SHINDENG TO220F-2 | SF5L60-4100.pdf | |
![]() | SCDS6D28T-5R6T-B-N | SCDS6D28T-5R6T-B-N UH 6.76.73 | SCDS6D28T-5R6T-B-N.pdf | |
![]() | LT1718HVIMS8 | LT1718HVIMS8 LT MSOP8 | LT1718HVIMS8.pdf | |
![]() | F712510APBW | F712510APBW TI QFP | F712510APBW.pdf | |
![]() | TSN8NTJ103V | TSN8NTJ103V ORIGINAL 1206x4 | TSN8NTJ103V.pdf | |
![]() | LC4032C-75TN48C-10I | LC4032C-75TN48C-10I Lattice TQFP48 | LC4032C-75TN48C-10I.pdf | |
![]() | H9720-50 | H9720-50 N/A SMD or Through Hole | H9720-50.pdf |