창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5276BDO35 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5276B 1N5276B(DO-35)MSTR 1N5276BDO35MSTR 1N5276BDO35MSTR-ND 1N5276BMSTR 1N5276BMSTR-ND 1N5276DO35 1N5276DO35MSTR 1N5276DO35MSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5276BDO35 | |
| 관련 링크 | 1N5276, 1N5276BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1210A510KBCAT4X | 51pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A510KBCAT4X.pdf | |
![]() | 600L150FW200T | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 600L150FW200T.pdf | |
![]() | I1-539-4 | I1-539-4 HARRIS DIP | I1-539-4.pdf | |
![]() | HPC2223K | HPC2223K KOA SMD or Through Hole | HPC2223K.pdf | |
![]() | NOKIAC102698 | NOKIAC102698 ORIGINAL QFP | NOKIAC102698.pdf | |
![]() | BQ20853 | BQ20853 TI SMD or Through Hole | BQ20853.pdf | |
![]() | PS219A5 | PS219A5 MIT DIP-IPM | PS219A5.pdf | |
![]() | 2SK439F | 2SK439F ORIGINAL N A | 2SK439F.pdf | |
![]() | ABS111N | ABS111N IDEC SMD or Through Hole | ABS111N.pdf | |
![]() | DF100AA140 | DF100AA140 SANREX SMD or Through Hole | DF100AA140.pdf | |
![]() | 422K-0106 | 422K-0106 ORIGINAL CAN-10 | 422K-0106.pdf | |
![]() | SRBV141201 | SRBV141201 ALPS SMD or Through Hole | SRBV141201.pdf |