창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5260BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5260BDO35MSTR 1N5260BDO35MSTR-ND 1N5260BMSTR 1N5260BMSTR-ND 1N5260DO35 1N5260DO35MSTR 1N5260DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5260BDO35 | |
관련 링크 | 1N5260, 1N5260BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
MR055C333KAATR1 | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR055C333KAATR1.pdf | ||
0257005.PXPV | FUSE AUTO 5A 32VDC BLADE ATO/ATC | 0257005.PXPV.pdf | ||
7A-24.000MAAE-T | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-24.000MAAE-T.pdf | ||
445W33K20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33K20M00000.pdf | ||
VLF403210MT-220M | 22µH Shielded Wirewound Inductor 680mA 720 mOhm Max Nonstandard | VLF403210MT-220M.pdf | ||
TNPW2512536KBEEG | RES SMD 536K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512536KBEEG.pdf | ||
TA31139AFN | TA31139AFN TOS TSOP-16 | TA31139AFN.pdf | ||
A14247-ND | A14247-ND TYCO con | A14247-ND.pdf | ||
120BZQZ | 120BZQZ TI BGA | 120BZQZ.pdf | ||
SF54-B | SF54-B DIODESINC SMD or Through Hole | SF54-B.pdf | ||
MAX8881UT50 | MAX8881UT50 MAX SOT23-6 | MAX8881UT50.pdf | ||
CP2103GM | CP2103GM SILICON QFN28 | CP2103GM.pdf |