창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5260B (DO-35) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5260B (DO-35) | |
| 관련 링크 | 1N5260B (, 1N5260B (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | RHE5G1H102J1A2A03B | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X8G 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHE5G1H102J1A2A03B.pdf | |
![]() | UPT17RE3/TR7 | TVS DIODE 17VWM POWERMITE | UPT17RE3/TR7.pdf | |
![]() | SIT8008AI-12-33S-13.560000E | OSC XO 3.3V 13.56MHZ ST | SIT8008AI-12-33S-13.560000E.pdf | |
![]() | LQP03HQ3N0C02D | 3nH Unshielded Thin Film Inductor 600mA 120 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03HQ3N0C02D.pdf | |
![]() | 93CS56N NS | 93CS56N NS ATMEL SMD or Through Hole | 93CS56N NS.pdf | |
![]() | VT6108-CD | VT6108-CD VIA QFP208 | VT6108-CD.pdf | |
![]() | KG312A2DXA246 | KG312A2DXA246 APEM/WSI SMD or Through Hole | KG312A2DXA246.pdf | |
![]() | 43031-0009 | 43031-0009 MOLEXINC MOL | 43031-0009.pdf | |
![]() | ROLLINGCODE125CO156 | ROLLINGCODE125CO156 NS SOP-20 | ROLLINGCODE125CO156.pdf | |
![]() | KDM5645-872KC | KDM5645-872KC SAMSUNG DIP | KDM5645-872KC.pdf | |
![]() | TPS2236DAP | TPS2236DAP TI TSSOP-32 | TPS2236DAP.pdf |