창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5256C-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 49옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5256C-TR | |
| 관련 링크 | 1N5256, 1N5256C-TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S06F12R4V | RES SMD 12.4 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F12R4V.pdf | |
![]() | 2710006 | 2710006 NS CAN-8 | 2710006.pdf | |
![]() | K4T1G1646E-HCH9 | K4T1G1646E-HCH9 SAMSUNG BGA84 | K4T1G1646E-HCH9.pdf | |
![]() | NJM74HC240D | NJM74HC240D JRC DIP20 | NJM74HC240D.pdf | |
![]() | 2545L7532 | 2545L7532 IBM SMD or Through Hole | 2545L7532.pdf | |
![]() | PI7C8152B | PI7C8152B PERICOM SMD or Through Hole | PI7C8152B.pdf | |
![]() | STB4NC60-1 | STB4NC60-1 STMICROELECTRONICSSEMI NA | STB4NC60-1.pdf | |
![]() | TDC-032-0.65MM | TDC-032-0.65MM TECHNIC SMD or Through Hole | TDC-032-0.65MM.pdf | |
![]() | MVPG16-A2-NAE1C000-T-MARVELL | MVPG16-A2-NAE1C000-T-MARVELL ORIGINAL SMD or Through Hole | MVPG16-A2-NAE1C000-T-MARVELL.pdf | |
![]() | SMD2824 0.1uF100V | SMD2824 0.1uF100V ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD2824 0.1uF100V.pdf | |
![]() | L3092 | L3092 ST DIP-28 | L3092.pdf | |
![]() | NIS5101E1T1G | NIS5101E1T1G ON S-PAK | NIS5101E1T1G.pdf |