창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5250B-TAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221B to 1N5267B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5250B-TAP | |
관련 링크 | 1N5250, 1N5250B-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N4448W-G3-18 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 | 1N4448W-G3-18.pdf | |
![]() | LQP03TN6N8J02D | 6.8nH Unshielded Thin Film Inductor 300mA 600 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN6N8J02D.pdf | |
![]() | ERJ-T14J432U | RES SMD 4.3K OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-T14J432U.pdf | |
![]() | S5-0R033J8 | RES SMD 0.033 OHM 5% 4W 8230 | S5-0R033J8.pdf | |
![]() | BP35-10 | BP35-10 FAIRCHIL SMD or Through Hole | BP35-10.pdf | |
![]() | 4050LOYT | 4050LOYT INTEL BGA | 4050LOYT.pdf | |
![]() | SQCAEM1R1BATME | SQCAEM1R1BATME AVX SMD | SQCAEM1R1BATME.pdf | |
![]() | SVC363L-TR | SVC363L-TR SANYO SOP-8 | SVC363L-TR.pdf | |
![]() | SN74AS1000N | SN74AS1000N TI DIP | SN74AS1000N.pdf | |
![]() | G001B | G001B ORIGINAL DIP | G001B.pdf | |
![]() | UPD44325184F5-E50-EQ2 | UPD44325184F5-E50-EQ2 NEC BGA-165D | UPD44325184F5-E50-EQ2.pdf |