창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5235TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5225 - 1N5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | SMC Diode Solutions | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5235TASMC | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5235TA | |
관련 링크 | 1N52, 1N5235TA 데이터 시트, SMC Diode Solutions 에이전트 유통 |
![]() | PMN30UNEX | MOSFET N-CH 20V SC-74 | PMN30UNEX.pdf | |
FDSD0420-H-4R7M=P3 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 83 mOhm Max Nonstandard | FDSD0420-H-4R7M=P3.pdf | ||
![]() | CRCW04022K20JNEDHP | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/5W 0402 | CRCW04022K20JNEDHP.pdf | |
![]() | AT0603DRE079K31L | RES SMD 9.31KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE079K31L.pdf | |
![]() | AS7C34098-15TCTR | AS7C34098-15TCTR ALLIANCE TSOP | AS7C34098-15TCTR.pdf | |
![]() | GLF2012T470KT | GLF2012T470KT TDK SMD or Through Hole | GLF2012T470KT.pdf | |
![]() | 6A103G | 6A103G XH SMD or Through Hole | 6A103G.pdf | |
![]() | EKZH160ETD681MJC5S | EKZH160ETD681MJC5S Chemi-con NA | EKZH160ETD681MJC5S.pdf | |
![]() | 4069UBCN | 4069UBCN MOT DIP | 4069UBCN.pdf | |
![]() | BAT63-02VE6327 | BAT63-02VE6327 INF Call | BAT63-02VE6327.pdf | |
![]() | 74LVC126APW,118 | 74LVC126APW,118 NXP SMD or Through Hole | 74LVC126APW,118.pdf |