창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5231BUR-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221UR-81BUR, e3 (or MLL5221-81B, e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5231BUR-1 | |
| 관련 링크 | 1N5231, 1N5231BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | Y1747V0485BA9W | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1747V0485BA9W.pdf | |
![]() | P100R4UC | P100R4UC HUIYUAN ROHS | P100R4UC.pdf | |
![]() | LM1117IMPX-3.3/NOPB*HI-FL | LM1117IMPX-3.3/NOPB*HI-FL NSC n a | LM1117IMPX-3.3/NOPB*HI-FL.pdf | |
![]() | C3676 | C3676 SAY TO-220 | C3676.pdf | |
![]() | RC350-215HPS3ATA11H | RC350-215HPS3ATA11H ATI BGA | RC350-215HPS3ATA11H.pdf | |
![]() | BUW84D | BUW84D PHI TO-3P | BUW84D.pdf | |
![]() | SG-3030JC 32.7680KB3 | SG-3030JC 32.7680KB3 EPSON SMD or Through Hole | SG-3030JC 32.7680KB3.pdf | |
![]() | 5263PBT9 | 5263PBT9 MOLEX SMD or Through Hole | 5263PBT9.pdf | |
![]() | ADP2303ARDZ-5.0 | ADP2303ARDZ-5.0 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | ADP2303ARDZ-5.0.pdf | |
![]() | SIGC42T60NC | SIGC42T60NC Infineon SMD or Through Hole | SIGC42T60NC.pdf | |
![]() | SC405515FN | SC405515FN MOT QFP | SC405515FN.pdf |