창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5231BDO35TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5231B(DO-35)MSTR 1N5231B(DO-35)MSTR-ND 1N5231B/TR 1N5231BDO35 1N5231BDO35MSTR 1N5231BDO35MSTR-ND 1N5231BMSTR 1N5231BMSTR-ND 1N5231DO35 1N5231DO35MSTR 1N5231DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5231BDO35TR | |
관련 링크 | 1N5231B, 1N5231BDO35TR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
74ALVCH32501BF | 74ALVCH32501BF IDT BGA | 74ALVCH32501BF.pdf | ||
C2012JB1A105KT0S0N | C2012JB1A105KT0S0N TDK PB-FREE | C2012JB1A105KT0S0N.pdf | ||
N80C361 | N80C361 INTEL PLCC | N80C361.pdf | ||
MNA-1HLN+ | MNA-1HLN+ MINI SMD or Through Hole | MNA-1HLN+.pdf | ||
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30R194-L | 30R194-L TDK SOP28 | 30R194-L.pdf | ||
TLV2370IDBVRTI | TLV2370IDBVRTI TI SMD or Through Hole | TLV2370IDBVRTI.pdf | ||
LP2201-1828B6F | LP2201-1828B6F LP SOT-23-6 | LP2201-1828B6F.pdf |