창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5231B-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B to 1N5267B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5231B-TAP | |
| 관련 링크 | 1N5231, 1N5231B-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A3R3BAT2A | 3.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A3R3BAT2A.pdf | |
![]() | GRM1885C1HR10BD01D | 0.10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1HR10BD01D.pdf | |
![]() | HCPL-817-30DE | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | HCPL-817-30DE.pdf | |
![]() | SM1145BDV-125.0M | SM1145BDV-125.0M PLETRONICS SMD | SM1145BDV-125.0M.pdf | |
![]() | RRS075P03--TB1 | RRS075P03--TB1 ROHM SMD or Through Hole | RRS075P03--TB1.pdf | |
![]() | 9240RPQS | 9240RPQS SEI PGA | 9240RPQS.pdf | |
![]() | 1210QYC | 1210QYC SiPu 1210 | 1210QYC.pdf | |
![]() | AP3770BK6TR-G1 | AP3770BK6TR-G1 BCD SMD or Through Hole | AP3770BK6TR-G1.pdf | |
![]() | 116-43-318-41-007000 | 116-43-318-41-007000 MLL SMD or Through Hole | 116-43-318-41-007000.pdf | |
![]() | KTF250B335M32N1T00 | KTF250B335M32N1T00 NICHICON SMD or Through Hole | KTF250B335M32N1T00.pdf | |
![]() | SI8233-B-IS | SI8233-B-IS SILICON SOP | SI8233-B-IS.pdf | |
![]() | EFCT4R5MW5CS | EFCT4R5MW5CS PAN SMD or Through Hole | EFCT4R5MW5CS.pdf |