창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5230B TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B thru 1N5278B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5230B TR | |
| 관련 링크 | 1N5230, 1N5230B TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ1206A510KBAAT4X | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A510KBAAT4X.pdf | |
![]() | 4TCE220MI | 220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 4TCE220MI.pdf | |
![]() | DRA2143T0L | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 | DRA2143T0L.pdf | |
![]() | VLF504015MT-100M-CA | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.58A 140 mOhm Max Nonstandard | VLF504015MT-100M-CA.pdf | |
![]() | CMF554R0200FKBF | RES 4.02 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554R0200FKBF.pdf | |
![]() | FS313DS | FS313DS ORIGINAL SOT-23-5 | FS313DS.pdf | |
![]() | D65016GD060 | D65016GD060 NEC 120QFP | D65016GD060.pdf | |
![]() | 2SB1116AL-G TO-92 | 2SB1116AL-G TO-92 UTC SMD or Through Hole | 2SB1116AL-G TO-92.pdf | |
![]() | LM285M-2.5/1.2 | LM285M-2.5/1.2 NS SOP8 | LM285M-2.5/1.2.pdf | |
![]() | BBT00214 | BBT00214 ORIGINAL SMD or Through Hole | BBT00214.pdf | |
![]() | SP2-6060 | SP2-6060 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP2-6060.pdf |