창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5228BDO35E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5228BDO35E3MSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5228BDO35E3 | |
관련 링크 | 1N5228B, 1N5228BDO35E3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F2601XCST | 26MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2601XCST.pdf | ||
RT0805CRB072K43L | RES SMD 2.43KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB072K43L.pdf | ||
CRCW08059M10JNEB | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08059M10JNEB.pdf | ||
PNP400JR-73-0R27 | RES 0.27 OHM 4W 5% AXIAL | PNP400JR-73-0R27.pdf | ||
DX125C5AB-2 | DX125C5AB-2 LSI SMD or Through Hole | DX125C5AB-2.pdf | ||
XC5204-3PQ160C | XC5204-3PQ160C XILINX QFP-160 | XC5204-3PQ160C.pdf | ||
BLM21B272SPTM00-03 | BLM21B272SPTM00-03 MURATA 3kreel | BLM21B272SPTM00-03.pdf | ||
CC165PH1H101J1A | CC165PH1H101J1A TDK SMD or Through Hole | CC165PH1H101J1A.pdf | ||
PVT412S/LS | PVT412S/LS IOR SOP-6 | PVT412S/LS.pdf | ||
PL2520TTE2R2M | PL2520TTE2R2M KOA SMD or Through Hole | PL2520TTE2R2M.pdf | ||
MIC2954YM | MIC2954YM MIC SOP-8 | MIC2954YM.pdf |