창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5227B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B - 63B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 24옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5227B | |
| 관련 링크 | 1N52, 1N5227B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 445W23G25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23G25M00000.pdf | |
![]() | PEF24624EV1.2PB | PEF24624EV1.2PB INF SMD or Through Hole | PEF24624EV1.2PB.pdf | |
![]() | MCV1.5/3-G-3,81 | MCV1.5/3-G-3,81 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCV1.5/3-G-3,81.pdf | |
![]() | 1206CG472J9B200 | 1206CG472J9B200 PH SMD or Through Hole | 1206CG472J9B200.pdf | |
![]() | PQ1M3352SPQ | PQ1M3352SPQ SHARP SOT89-5 | PQ1M3352SPQ.pdf | |
![]() | TC74VHCU04F(EL.F) | TC74VHCU04F(EL.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74VHCU04F(EL.F).pdf | |
![]() | Z1-45D | Z1-45D ORIGINAL SMD or Through Hole | Z1-45D.pdf | |
![]() | ELF21V010S | ELF21V010S Panasonic DIP | ELF21V010S.pdf | |
![]() | WE671 | WE671 ORIGINAL DIP | WE671.pdf | |
![]() | ER1012100010MAPS | ER1012100010MAPS ricon SMD or Through Hole | ER1012100010MAPS.pdf |