창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5196 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5196 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 225V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25nA @ 225V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5196 | |
관련 링크 | 1N5, 1N5196 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
UNRF2A100A | TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2 | UNRF2A100A.pdf | ||
IRFD020PBF | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP | IRFD020PBF.pdf | ||
LTR10EZPJ101 | RES SMD 100 OHM 1/4W 0805 WIDE | LTR10EZPJ101.pdf | ||
KW1-301AOA | KW1-301AOA LUCKYLIGHT SMD or Through Hole | KW1-301AOA.pdf | ||
HYB5118165BST-50 | HYB5118165BST-50 SIEMENS SMD or Through Hole | HYB5118165BST-50.pdf | ||
3DZ4/3AF4B | 3DZ4/3AF4B CSI SMD or Through Hole | 3DZ4/3AF4B.pdf | ||
IRKD236 | IRKD236 IR SMD or Through Hole | IRKD236.pdf | ||
MA3056-H/5.6H | MA3056-H/5.6H PAN SMD or Through Hole | MA3056-H/5.6H.pdf | ||
DM8601 | DM8601 ORIGINAL SMD or Through Hole | DM8601.pdf | ||
PLY17BN5620R8B2M | PLY17BN5620R8B2M MURATA DIP | PLY17BN5620R8B2M.pdf | ||
XC4052XLA-08BG432I | XC4052XLA-08BG432I XILINX SMD or Through Hole | XC4052XLA-08BG432I.pdf | ||
ISL59832B | ISL59832B INTERSIL QFN | ISL59832B.pdf |