창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4964US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4964US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4964US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-83-33E-81.920000T | OSC XO 3.3V 81.92MHZ OE | SIT8008BI-83-33E-81.920000T.pdf | |
![]() | ES1BHE3_A/I | DIODE UFAST 100V 1A DO214AC | ES1BHE3_A/I.pdf | |
![]() | CMF55475K00FEEB | RES 475K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55475K00FEEB.pdf | |
![]() | ACD05A-31 | ACD05A-31 ACD SMD or Through Hole | ACD05A-31.pdf | |
![]() | EHT-117-01-S-D-RA | EHT-117-01-S-D-RA SAMTEC SMD or Through Hole | EHT-117-01-S-D-RA.pdf | |
![]() | 6CC | 6CC ORIGINAL TSSOP | 6CC.pdf | |
![]() | 73035 | 73035 POMONA/WSI SMD or Through Hole | 73035.pdf | |
![]() | AO3481 | AO3481 AO SMD | AO3481.pdf | |
![]() | EC-M220 | EC-M220 TEC QFP | EC-M220.pdf | |
![]() | IRLML2402TR/TRPBF | IRLML2402TR/TRPBF IR SOT23 | IRLML2402TR/TRPBF.pdf | |
![]() | BP5122 | BP5122 ROHM SMD or Through Hole | BP5122.pdf | |
![]() | XC6401FF42DRN | XC6401FF42DRN TOREX QFN | XC6401FF42DRN.pdf |