창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4960US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4960US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4960US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445I35E25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35E25M00000.pdf | |
![]() | CZRQR52C8V2-HF | DIODE ZENER 8.2V 125MW 0402 | CZRQR52C8V2-HF.pdf | |
![]() | CRA04S083220KJTD | RES ARRAY 4 RES 220K OHM 0804 | CRA04S083220KJTD.pdf | |
![]() | LD1117-1.8V. | LD1117-1.8V. UTC SOT223 | LD1117-1.8V..pdf | |
![]() | AXT322124SEI | AXT322124SEI PANASONIC SMD or Through Hole | AXT322124SEI.pdf | |
![]() | BA848 | BA848 ORIGINAL SMD or Through Hole | BA848.pdf | |
![]() | GT5-2428/1.6-2.5SCF/70 | GT5-2428/1.6-2.5SCF/70 HIROSE SMD or Through Hole | GT5-2428/1.6-2.5SCF/70.pdf | |
![]() | IC61GV10248-8TIG | IC61GV10248-8TIG ICSI SMD or Through Hole | IC61GV10248-8TIG.pdf | |
![]() | 88PW886-B3-CBD1C000-T | 88PW886-B3-CBD1C000-T MARVELL SMD | 88PW886-B3-CBD1C000-T.pdf | |
![]() | NSH2463-1 | NSH2463-1 NATEL DIP32 | NSH2463-1.pdf | |
![]() | MLG1005S2N7CT | MLG1005S2N7CT TDK SMD or Through Hole | MLG1005S2N7CT.pdf | |
![]() | IF0509S-1W | IF0509S-1W DEXU SIP | IF0509S-1W.pdf |