창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4954US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 5.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4954US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4954US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
CC0201JRNPO9BN560 | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CC0201JRNPO9BN560.pdf | ||
06032U3R6DAT9A | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06032U3R6DAT9A.pdf | ||
ABC2-15.000MHZ-4-T | 15MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-15.000MHZ-4-T.pdf | ||
NRVBA1H100T3G | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA | NRVBA1H100T3G.pdf | ||
74438335330 | 33µH Shielded Molded Inductor 500mA 1.33 Ohm Max 1212 (3030 Metric) | 74438335330.pdf | ||
547290248 | 547290248 MOLEX SMD or Through Hole | 547290248.pdf | ||
NUF2015W1T2G | NUF2015W1T2G ON SC70-6 | NUF2015W1T2G.pdf | ||
T320F08BGC | T320F08BGC EUPEC MODULE | T320F08BGC.pdf | ||
TW5N400 | TW5N400 AEG SMD or Through Hole | TW5N400.pdf | ||
NNCD6.2M-T1B | NNCD6.2M-T1B NEC SMD or Through Hole | NNCD6.2M-T1B.pdf |