창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4764APE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 350옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 76V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4764APE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N4764AP, 1N4764APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| PCF1E6R8MCL1GS | 6.8µF 25V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 80 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | PCF1E6R8MCL1GS.pdf | ||
![]() | SI2325DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | SI2325DS-T1-GE3.pdf | |
![]() | SD25-821-R | 820µH Shielded Wirewound Inductor 230mA 5.04 Ohm Nonstandard | SD25-821-R.pdf | |
![]() | CRCW08052K43FKEB | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052K43FKEB.pdf | |
![]() | MEM4956 | MEM4956 GI SMD or Through Hole | MEM4956.pdf | |
![]() | IT8512E (CXS) | IT8512E (CXS) ITE QFP | IT8512E (CXS).pdf | |
![]() | SMDCHGR0603-R39K | SMDCHGR0603-R39K ORIGINAL SMD | SMDCHGR0603-R39K.pdf | |
![]() | S3C80B5X68SMB5 | S3C80B5X68SMB5 SAMSUNG QFP | S3C80B5X68SMB5.pdf | |
![]() | 34513M4080FP | 34513M4080FP MIT SMD or Through Hole | 34513M4080FP.pdf | |
![]() | 350542A | 350542A ORIGINAL TO92 | 350542A.pdf | |
![]() | CL31C222GBCNNNC | CL31C222GBCNNNC SAmsung SMD or Through Hole | CL31C222GBCNNNC.pdf |