창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4759APE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 47.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4759APE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N4759AP, 1N4759APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GQM2195C2A130GB01D | 13pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2A130GB01D.pdf | |
![]() | PATT0805L3R01FGT1 | RES SMD 3.01 OHM 1% 1/5W 0805 | PATT0805L3R01FGT1.pdf | |
![]() | MBB02070C1609FRP00 | RES 16 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1609FRP00.pdf | |
![]() | ADP1148A5 | ADP1148A5 AD SOP-14 | ADP1148A5.pdf | |
![]() | K4T1G084QA-ZCE7 | K4T1G084QA-ZCE7 SAMSUNG FBGA68 | K4T1G084QA-ZCE7.pdf | |
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![]() | HTC78L05AC | HTC78L05AC HTC SOT-89 | HTC78L05AC.pdf | |
![]() | CLE-190-01-G-DV | CLE-190-01-G-DV Samtec SMD or Through Hole | CLE-190-01-G-DV.pdf | |
![]() | INDUCTOR 1UH | INDUCTOR 1UH ORIGINAL SMD or Through Hole | INDUCTOR 1UH.pdf | |
![]() | WL453232-680K | WL453232-680K ORIGINAL SMD or Through Hole | WL453232-680K.pdf | |
![]() | 216M1SABGA53-M1 | 216M1SABGA53-M1 ATI BGA | 216M1SABGA53-M1.pdf | |
![]() | RHY1981 | RHY1981 RHY SMD or Through Hole | RHY1981.pdf |