창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4758P/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 110옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 42.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4758P/TR8 | |
관련 링크 | 1N4758, 1N4758P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F240X2IDT | 24MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240X2IDT.pdf | |
![]() | CW02B3K500JS70 | RES 3.5K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B3K500JS70.pdf | |
![]() | M11B416526A-25J | M11B416526A-25J ELITEMT PLCC | M11B416526A-25J.pdf | |
![]() | 145801080012829+ | 145801080012829+ ORIGINAL connect80P | 145801080012829+.pdf | |
![]() | DG747 | DG747 ORIGINAL TO-39 | DG747.pdf | |
![]() | TK1160V | TK1160V ST TO-49 | TK1160V.pdf | |
![]() | LQH3C3R3K34M00-01 | LQH3C3R3K34M00-01 MURATA 1210-3.3UH | LQH3C3R3K34M00-01.pdf | |
![]() | RSS-SR021 | RSS-SR021 RELCOMM SMD or Through Hole | RSS-SR021.pdf | |
![]() | AP2151EG-7 | AP2151EG-7 ANACHIP SOT23-6 | AP2151EG-7.pdf | |
![]() | NVP3100 | NVP3100 NEXTCHIP BGA | NVP3100.pdf | |
![]() | QM48T40033-NBA0G-S100 | QM48T40033-NBA0G-S100 Power-Oneinc SMD or Through Hole | QM48T40033-NBA0G-S100.pdf | |
![]() | U1B4B42(TE24R) | U1B4B42(TE24R) TOSHIBA SMD or Through Hole | U1B4B42(TE24R).pdf |