창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4757AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4757AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4757AE, 1N4757AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | E82D201VRT821MB25N | CAP ALUM 820UF 200V RADIAL | E82D201VRT821MB25N.pdf | |
![]() | OP224 | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.8V 100mA 3.5mW/cm² @ 50mA 24° Mini-pill | OP224.pdf | |
![]() | RG3216P-7500-B-T1 | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-7500-B-T1.pdf | |
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![]() | CMF5512K500BEEK | RES 12.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5512K500BEEK.pdf | |
![]() | P51-1000-S-AF-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-S-AF-P-20MA-000-000.pdf | |
![]() | TSB818A3 | TSB818A3 ORIGINAL QFP | TSB818A3.pdf | |
![]() | MB60VH639 | MB60VH639 FUJITSU DIP-42P | MB60VH639.pdf | |
![]() | MSM6025-208FBGA | MSM6025-208FBGA QUALCOMM SMD or Through Hole | MSM6025-208FBGA.pdf | |
![]() | TME | TME TI MSOP8 | TME.pdf | |
![]() | IC51-1604-926 | IC51-1604-926 YAMAICHI SMD or Through Hole | IC51-1604-926.pdf | |
![]() | MK41S80N12 | MK41S80N12 SGS PDIP | MK41S80N12.pdf |