창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4756A-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728A - 1N4761A | |
| PCN 단종/ EOL | Discrete Devices EOL 20/Feb/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 35.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1034-1N4756ADICT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4756A-T | |
| 관련 링크 | 1N475, 1N4756A-T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B2C0G1H270J050BD | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2C0G1H270J050BD.pdf | |
![]() | CSRN2010FTR150 | RES SMD 0.15 OHM 1% 1W 2010 | CSRN2010FTR150.pdf | |
![]() | THS4051IDGNR | THS4051IDGNR TI SMD or Through Hole | THS4051IDGNR.pdf | |
![]() | M57917L-01 | M57917L-01 MIT ZIP7 | M57917L-01.pdf | |
![]() | H8BCS0UM0MER-4EM | H8BCS0UM0MER-4EM HYNIX SMD or Through Hole | H8BCS0UM0MER-4EM.pdf | |
![]() | 128404Q | 128404Q ICS SSOP | 128404Q.pdf | |
![]() | MSP58C085BP JM | MSP58C085BP JM TI QFP | MSP58C085BP JM.pdf | |
![]() | LC4064C75-10I | LC4064C75-10I ORIGINAL QFP-48L | LC4064C75-10I.pdf | |
![]() | CV141PAG | CV141PAG IDT TSSOP | CV141PAG.pdf | |
![]() | JW1ASN-DC5V | JW1ASN-DC5V NAIS SMD or Through Hole | JW1ASN-DC5V.pdf | |
![]() | LQH55DN101M01 | LQH55DN101M01 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH55DN101M01.pdf | |
![]() | N28F010-200P1C4 | N28F010-200P1C4 intel PLCC-32 | N28F010-200P1C4.pdf |