창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4755A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728A - 58A | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4755A | |
관련 링크 | 1N47, 1N4755A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | IRG7PH35UD1PBF | IGBT 1200V 50A 179W TO247 | IRG7PH35UD1PBF.pdf | |
![]() | WW1JT1K30 | RES 1.3K OHM 1W 5% AXIAL | WW1JT1K30.pdf | |
![]() | LSC417355P | LSC417355P MOTOROLA DIP28 | LSC417355P.pdf | |
![]() | S3P86150ZZ-AQB5 | S3P86150ZZ-AQB5 ORIGINAL DIP42 | S3P86150ZZ-AQB5.pdf | |
![]() | BS0720N | BS0720N RUILON SMD or Through Hole | BS0720N.pdf | |
![]() | BH28FB1WHFV | BH28FB1WHFV ROHM SMD or Through Hole | BH28FB1WHFV.pdf | |
![]() | LHLP10TB101MB | LHLP10TB101MB ORIGINAL SMD or Through Hole | LHLP10TB101MB.pdf | |
![]() | ELMOS100.37A | ELMOS100.37A ELMOS SOP28 | ELMOS100.37A.pdf | |
![]() | K78X6-1000L | K78X6-1000L MORNSUN SIP | K78X6-1000L.pdf | |
![]() | CXK5863BJ-25-T6 | CXK5863BJ-25-T6 SONY SOJ | CXK5863BJ-25-T6.pdf | |
![]() | TPS6107DBVR | TPS6107DBVR TI SOT23-6 | TPS6107DBVR.pdf |