창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4754A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 29.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4754A G | |
관련 링크 | 1N475, 1N4754A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
SIT8209AC-22-33E-155.520000Y | OSC XO 3.3V 155.52MHZ OE | SIT8209AC-22-33E-155.520000Y.pdf | ||
VRS0402SRN | VRS0402SRN ctc/yageo SMD or Through Hole | VRS0402SRN.pdf | ||
MB8265A12P | MB8265A12P FUJITSU SMD or Through Hole | MB8265A12P.pdf | ||
UPD4616161G5-A12-7JF | UPD4616161G5-A12-7JF NEC TSSOP | UPD4616161G5-A12-7JF.pdf | ||
MLG1608B82NJT000(0603-82NH) | MLG1608B82NJT000(0603-82NH) TDK SMD or Through Hole | MLG1608B82NJT000(0603-82NH).pdf | ||
DCR-1010 | DCR-1010 TOTO QFP64 | DCR-1010.pdf | ||
S3C9498XZ0-AOBB | S3C9498XZ0-AOBB ORIGINAL 32SDIP | S3C9498XZ0-AOBB.pdf | ||
1206 J 300K | 1206 J 300K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 J 300K.pdf | ||
SBRD8360 | SBRD8360 ON TO-2252 | SBRD8360.pdf | ||
SP3230ECY | SP3230ECY ST SOP-8 | SP3230ECY.pdf | ||
LB7521-11 | LB7521-11 EVERLIGHT DIP | LB7521-11.pdf | ||
RF2426 | RF2426 RF SMD or Through Hole | RF2426.pdf |