창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4753A G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 27.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4753A G | |
| 관련 링크 | 1N475, 1N4753A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HHXA630ARA100MF61G | 10µF 63V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 120 mOhm 4000 Hrs @ 125°C | HHXA630ARA100MF61G.pdf | |
![]() | C2225C123J5GACTU | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.221" L x 0.252" W(5.60mm x 6.40mm) | C2225C123J5GACTU.pdf | |
![]() | 1051BZ | 1051BZ AGERE QFP132 | 1051BZ.pdf | |
![]() | SMD-493.6864MHZ | SMD-493.6864MHZ KDS SMD or Through Hole | SMD-493.6864MHZ.pdf | |
![]() | 36150 | 36150 TEConnectivity SMD or Through Hole | 36150.pdf | |
![]() | TC7WZ08FK (TE85L) | TC7WZ08FK (TE85L) TOSHIBA SSOP-8 | TC7WZ08FK (TE85L).pdf | |
![]() | T2362-XV11-P1-7600 | T2362-XV11-P1-7600 INFINEON TSSOP10 | T2362-XV11-P1-7600.pdf | |
![]() | C805C | C805C NEC SMD or Through Hole | C805C.pdf | |
![]() | KM416S4030BT-G10KZ | KM416S4030BT-G10KZ SAM SMD or Through Hole | KM416S4030BT-G10KZ.pdf | |
![]() | RTT20104JTE100K | RTT20104JTE100K ORIGINAL SMD or Through Hole | RTT20104JTE100K.pdf | |
![]() | JDP2S01T TEL:82766440 | JDP2S01T TEL:82766440 Toshiba SMD or Through Hole | JDP2S01T TEL:82766440.pdf |