창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4752APE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4752APE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4752APE, 1N4752APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| 150KR60A | DIODE GEN REV 600V 150A DO205AA | 150KR60A.pdf | ||
|  | MMZ1608F030BTA00 | 3 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 700mA 1 Lines 50 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | MMZ1608F030BTA00.pdf | |
|  | HM86171-2 | HM86171-2 HMC DIP28 | HM86171-2.pdf | |
|  | BAW56W 115 | BAW56W 115 NXP SMD or Through Hole | BAW56W 115.pdf | |
|  | 3C80F9XNP-QZ87 | 3C80F9XNP-QZ87 SAMSUNG QFP | 3C80F9XNP-QZ87.pdf | |
|  | SG306CT | SG306CT Linfinit CAN | SG306CT.pdf | |
|  | CM20768K | CM20768K FIRSTOHM SMD or Through Hole | CM20768K.pdf | |
|  | ISPLSI1064E-125LT44 | ISPLSI1064E-125LT44 ORIGINAL SOP | ISPLSI1064E-125LT44.pdf | |
|  | 40/60/80 | 40/60/80 ORIGINAL SMD or Through Hole | 40/60/80.pdf | |
|  | NS064NAOBJWRN | NS064NAOBJWRN SMSC QFP | NS064NAOBJWRN.pdf | |
|  | XPC603EFE133LM | XPC603EFE133LM MOT QFP | XPC603EFE133LM.pdf | |
|  | WL2E106M10020SS180 | WL2E106M10020SS180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2E106M10020SS180.pdf |