창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4751 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 22.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4751 G | |
관련 링크 | 1N47, 1N4751 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
C947U470JZNDAAWL45 | 47pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C947U470JZNDAAWL45.pdf | ||
BFC2373GE223MD | 0.022µF Film Capacitor 160V 630V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC2373GE223MD.pdf | ||
ECS-60-18-18-TR | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-60-18-18-TR.pdf | ||
SG-210SEB 10.0000MY | 10MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 1.6mA Standby (Power Down) | SG-210SEB 10.0000MY.pdf | ||
1415900-7 | RT31C024 | 1415900-7.pdf | ||
TESVB21C335M8R (16V/3.3uF) | TESVB21C335M8R (16V/3.3uF) NEC SMD or Through Hole | TESVB21C335M8R (16V/3.3uF).pdf | ||
K4H511638D-UCB3 K4M56323PG-HG75 K4T1G164QG-HCE6 | K4H511638D-UCB3 K4M56323PG-HG75 K4T1G164QG-HCE6 samsung SMD or Through Hole | K4H511638D-UCB3 K4M56323PG-HG75 K4T1G164QG-HCE6.pdf | ||
AIC6110L | AIC6110L ADAPTEC PLCC-44 | AIC6110L.pdf | ||
HSP43214SC-45 | HSP43214SC-45 HARRIS SOP | HSP43214SC-45.pdf | ||
3756-80P | 3756-80P M SMD or Through Hole | 3756-80P.pdf | ||
SN1052574BW | SN1052574BW TI QFN-32P | SN1052574BW.pdf | ||
ES1DF-A SMAFL | ES1DF-A SMAFL ORIGINAL SMD or Through Hole | ES1DF-A SMAFL.pdf |