창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4750E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4750E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4750E, 1N4750E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ELXM451VSN331MA45S | 330µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM451VSN331MA45S.pdf | |
![]() | 1025R-90J | 820µH Unshielded Molded Inductor 29mA 65 Ohm Max Axial | 1025R-90J.pdf | |
![]() | IRFU234B | IRFU234B IR TO-251 | IRFU234B.pdf | |
![]() | S-037-0858 | S-037-0858 NO SMD or Through Hole | S-037-0858.pdf | |
![]() | UPD65845S1-Y06-2C | UPD65845S1-Y06-2C NEC BGA | UPD65845S1-Y06-2C.pdf | |
![]() | K4T51163QC-ZC DDR2 1632 | K4T51163QC-ZC DDR2 1632 SAM BGA | K4T51163QC-ZC DDR2 1632.pdf | |
![]() | 4114NH3 | 4114NH3 ORIGINAL NEW | 4114NH3.pdf | |
![]() | TINY15L-ISU | TINY15L-ISU ATMEL SOP-8 | TINY15L-ISU.pdf | |
![]() | ME6206A25MG3 | ME6206A25MG3 ME SOT23 | ME6206A25MG3.pdf | |
![]() | AS7C31024A-12STI | AS7C31024A-12STI ALLIANCE TSOP28 | AS7C31024A-12STI.pdf | |
![]() | HSB88 | HSB88 HITACHI SMD or Through Hole | HSB88.pdf |