창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4750CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4750CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4750CE, 1N4750CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
HRG3216P-4321-B-T1 | RES SMD 4.32K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-4321-B-T1.pdf | ||
CRA04S08336R0JTD | RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804 | CRA04S08336R0JTD.pdf | ||
176PC07HD2 | Pressure Sensor 0.25 PSI (1.74 kPa) Differential Male - 0.28" (7.11mm) Tube, Dual 0 mV ~ 28 mV (10V) 4-SIP Module | 176PC07HD2.pdf | ||
SSCSMNN030PD2A3 | Pressure Sensor ±30 PSI (±206.84 kPa) Differential 12 b 4-SIP Module | SSCSMNN030PD2A3.pdf | ||
S50D30,S50D35,S50D40,S50D45 | S50D30,S50D35,S50D40,S50D45 MOSPEC SMD or Through Hole | S50D30,S50D35,S50D40,S50D45.pdf | ||
CMJ2000TR | CMJ2000TR CENTRAL SOD-123FL | CMJ2000TR.pdf | ||
1000V106 | 1000V106 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1000V106.pdf | ||
627840062900V1.0 | 627840062900V1.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | 627840062900V1.0.pdf | ||
APA2615 | APA2615 ANPEC SMD or Through Hole | APA2615.pdf | ||
ER07US1G | ER07US1G ROHM QFP-64 | ER07US1G.pdf |