창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4747 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4747 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4747 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8009BI-12-33E-125.000000D | OSC XO 3.3V 125MHZ | SIT8009BI-12-33E-125.000000D.pdf | |
![]() | STAC9205X5NBEB2X | STAC9205X5NBEB2X IDT SMD or Through Hole | STAC9205X5NBEB2X.pdf | |
![]() | PZT2222LT1 | PZT2222LT1 MOTOROLA SOT-223 | PZT2222LT1.pdf | |
![]() | K61008V1D-UI08T00 | K61008V1D-UI08T00 SAMSUNG TSOP | K61008V1D-UI08T00.pdf | |
![]() | W06 | W06 ORIGINAL SMD or Through Hole | W06.pdf | |
![]() | 426471900-3 | 426471900-3 DigitalView SMD or Through Hole | 426471900-3.pdf | |
![]() | 82845MP | 82845MP INTEL BGA | 82845MP.pdf | |
![]() | 2N718AJAN | 2N718AJAN Microsemi NA | 2N718AJAN.pdf | |
![]() | LM311ND | LM311ND MOT SMD or Through Hole | LM311ND.pdf | |
![]() | grm43er61c226me01B | grm43er61c226me01B MURATA SMD or Through Hole | grm43er61c226me01B.pdf | |
![]() | HRS-4809 | HRS-4809 DANUBE DIP24 | HRS-4809.pdf | |
![]() | E28F800C3TC90 | E28F800C3TC90 INT SMD or Through Hole | E28F800C3TC90.pdf |