창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4741APE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4741APE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4741APE, 1N4741APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H10333HV | 0.033µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.295" W (23.00mm x 7.50mm) | ECW-H10333HV.pdf | |
![]() | MKP385656025JYP5T0 | 56µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP385656025JYP5T0.pdf | |
![]() | RT0805BRD07196RL | RES SMD 196 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07196RL.pdf | |
![]() | 80MXC3900M35X30 | 80MXC3900M35X30 RUBYCON DIP | 80MXC3900M35X30.pdf | |
![]() | K4T56163QO-HCE6 | K4T56163QO-HCE6 SAMSUNG FBGA | K4T56163QO-HCE6.pdf | |
![]() | 103TK-0805-1P | 103TK-0805-1P ORIGINAL O805 | 103TK-0805-1P.pdf | |
![]() | LC4256V-3TN144C | LC4256V-3TN144C Lattice TQFP-144 | LC4256V-3TN144C.pdf | |
![]() | JM38510/31003BEB | JM38510/31003BEB TI DIP | JM38510/31003BEB.pdf | |
![]() | S9S08AW16AE0MFT | S9S08AW16AE0MFT FREESCALE SMD or Through Hole | S9S08AW16AE0MFT.pdf | |
![]() | I1-4900A-7 | I1-4900A-7 HARRIS DIP | I1-4900A-7.pdf | |
![]() | GO5200(64M) | GO5200(64M) NVIDIA BGA | GO5200(64M).pdf |