창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4737APE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4737APE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4737APE, 1N4737APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H1R8BA01J | 1.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H1R8BA01J.pdf | |
![]() | SP1008-473J | 47µH Shielded Wirewound Inductor 139mA 5.9 Ohm Max Nonstandard | SP1008-473J.pdf | |
![]() | TX2SL-3V-Z | TX2SL-3V-Z ARM SMD or Through Hole | TX2SL-3V-Z.pdf | |
![]() | PM908E625ACDWB | PM908E625ACDWB FREE SMD or Through Hole | PM908E625ACDWB.pdf | |
![]() | MSM5117400D-60TK | MSM5117400D-60TK OKI SMD or Through Hole | MSM5117400D-60TK.pdf | |
![]() | NJV9202BD | NJV9202BD ORIGINAL DIP-40L | NJV9202BD.pdf | |
![]() | TSP2384PAP | TSP2384PAP TI QFP | TSP2384PAP.pdf | |
![]() | AOZ1014 | AOZ1014 AOS SOP-8 | AOZ1014.pdf | |
![]() | MAX6461XR51+T | MAX6461XR51+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6461XR51+T.pdf | |
![]() | UPD784915AGF-118-3BA | UPD784915AGF-118-3BA NEC QFP | UPD784915AGF-118-3BA.pdf | |
![]() | DD110F140 | DD110F140 SANREX Call | DD110F140.pdf | |
![]() | IR21844S(white) | IR21844S(white) IR SOP14 | IR21844S(white).pdf |