창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4732P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4732P/TR12 | |
관련 링크 | 1N4732P, 1N4732P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C1E130JD01D | 13pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E130JD01D.pdf | |
![]() | XL-1C-018.432M | 18.432MHz ±50ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XL-1C-018.432M.pdf | |
![]() | P51-75-S-W-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-W-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | NQ80003ES2 QH08ES | NQ80003ES2 QH08ES INTEL BGA | NQ80003ES2 QH08ES.pdf | |
![]() | UPD78F0058YGC | UPD78F0058YGC NEC QFP | UPD78F0058YGC.pdf | |
![]() | LMH6643MX | LMH6643MX NS SOP-8 | LMH6643MX.pdf | |
![]() | DDP2000-2504504-3 | DDP2000-2504504-3 DLP BGA | DDP2000-2504504-3.pdf | |
![]() | ME-4-L2-3B30VDC | ME-4-L2-3B30VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | ME-4-L2-3B30VDC.pdf | |
![]() | 215RPP6BLA12FG RS600 | 215RPP6BLA12FG RS600 ATI BGA | 215RPP6BLA12FG RS600.pdf | |
![]() | MDL6409 | MDL6409 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDL6409.pdf | |
![]() | TF2L127V1334M | TF2L127V1334M samwha DIP-2 | TF2L127V1334M.pdf | |
![]() | TEA6321T/V1,512 | TEA6321T/V1,512 NXP SOP-32 | TEA6321T/V1,512.pdf |