창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4623-1E3TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1600옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 4µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 1N4623-1TR 1N4623-1TR-ND Q6912081 T1815300 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4623-1E3TR | |
| 관련 링크 | 1N4623-, 1N4623-1E3TR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IRGP6630DPBF | IGBT 600V 47A 192W TO247AC | IRGP6630DPBF.pdf | |
![]() | 20J7R5E | RES 7.5 OHM 10W 5% AXIAL | 20J7R5E.pdf | |
![]() | TFS246KS | TFS246KS ORIGINAL SMD | TFS246KS.pdf | |
![]() | 620-95C | 620-95C JAPAN DIP16 | 620-95C.pdf | |
![]() | KSC2330-TO92LM | KSC2330-TO92LM ORIGINAL O92LM | KSC2330-TO92LM.pdf | |
![]() | C2230GR | C2230GR TOSHIBA TO-92L | C2230GR.pdf | |
![]() | DIB9080MA | DIB9080MA DIBCOM SMD or Through Hole | DIB9080MA.pdf | |
![]() | 118941B 200E6601TB72 | 118941B 200E6601TB72 BAYNETWORKS BGA | 118941B 200E6601TB72.pdf | |
![]() | SK200M3R30BZF-0611 | SK200M3R30BZF-0611 YAGEO DIP | SK200M3R30BZF-0611.pdf | |
![]() | UPC1920/G | UPC1920/G NEC SMD or Through Hole | UPC1920/G.pdf | |
![]() | XS3528 | XS3528 ORIGINAL SMD or Through Hole | XS3528.pdf | |
![]() | K7M321835C-PC75 | K7M321835C-PC75 SAMSUNG 100LQFP | K7M321835C-PC75.pdf |